Авторы:

1. Сергей Николаевич Новиков,
2. Владислав Анатольевич Жигалов,
3. Наталья Егоровна Коробова,
4. Константин Борисович Поярков,
5. Елена Павловна Горюнова

Национальный исследовательский университет МИЭТ, Москва, aviary@mail.ru.

Название: О возможности управления эффектом Шоттки в системе ‘H2O-Si(100)’.

Полный текст: В формате PDF

Аннотация

Методом статического конденсатора с ионизированным промежутком исследовано изменение работы выхода электрона монокристалла кремния Si(100) (эффект Шоттки) при контакте его поверхности с дистиллированной водой, а также с парами некоторых водных растворов. Показано, что величина и знак эффекта Шоттки зависят от структурной предыстории контактирующих с поверхностью образцов воды, которые могут играть роль как доноров, так и акцепторов электронов, заряжая поверхность Si(100) либо положительно (дистиллированная вода), либо отрицательно (католит, анолит, растворы). Показано, что для изменения (и ликвидации) эффекта Шоттки требуется весьма малая энергия (излучение телевизионного экрана, обработка красным светом лазера, термообработка). Показано, что на эффект Шоттки влияет также экстрасенсорное воздействие. Высказано предположение о том, что значительную роль в образовании и изменении эффекта Шоттки играет конверсия орто-пара спиновых изомеров H2O.

Рецензии

1. К.Г. Коротков. Рецензия на статью С.Н. Новикова и др. ‘О возможности управления эффектом Шоттки в системе ‘H2O-Si(100)’ ‘.
2. В.В. Цетлин. Рецензия на статью С.Н. Новикова и др. ‘О возможности управления эффектом Шоттки в системе ‘H2O-Si(100)’ ‘.